CMP或化学机械平坦化是一种用于半导体制造的抛光工艺。它通常用于在硅片被蚀刻并图案化为单个芯片后对其进行抛光。CMP工艺也可用于从使用光刻法制造的物体的表面去除多余的光致抗蚀剂。

　　1.抛光-将抛光垫装到抛光机上，并将抛光垫连接到抛光机的两侧。将晶片放入支架中，然后将支架放入抛光机中。机器启动，焊盘开始旋转并在晶片上施加压力。含有研磨颗粒（二氧化硅和/或氧化铝）的抛光溶液被高速推动通过衬垫两侧的通道并到达晶片上，从晶片的前表面和后表面去除材料，直到获得平坦表面。

　　抛光过程中，有两种挡圈，一种是金属挡圈，另一种是塑料挡圈。然而，与塑料保持环相比，金属保持环的摩擦系数高，表面容易划伤，因此使用寿命短。此外，金属环还可能导致严重的颗粒生成，从而导致晶片质量下降。因此，越来越多的制造商已经从金属环转向塑料环（例如PPS或PEEK）。通常情况下，PEEK大管由于易于加工而大多用于加工过程中。目前，大多数抛光浆料都是无磨料的，但在某些应用中，磨料仍然存在，并会对塑料材料造成严重损坏。

　　PPS、PEEK是CMP挡圈最常用的材料。如果你担心成本，那么PPS是另一种选择。我们可以提供大的PPS片来满足不同尺寸的CMP环。它们是这类应用的理想选择，因为材料的特性：刚度、优异的耐化学物质和温度（最高85°C）、硬度（最高85HRC）和抗疲劳性。

　　PPS和PEEK是CMP挡圈中最常用的两种材料。两者都具有优异的物理性能，如耐化学性、耐高温性、低摩擦系数、高硬度和低吸水性。然而，它们在机械性能方面也有显著差异。